N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Descripti | MOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package |
| 雪崩能效等级（Eas） | 500 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 33 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.009 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB130NS04ZB-1 | STB130NS04ZB | STP130NS04ZB | STW130NS04ZB | STW130NS04ZB_06 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET | N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET | N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET | N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET | N-channel clamped - 7 mOHM - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay TM MOSFET |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
| 零件包装代码 | TO-262AA | - | TO-220AB | TO-247 | - |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | , | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | - |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | compli | compli | _compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 500 mJ | - | 500 mJ | 500 mJ | - |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN | DRAIN | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 33 V | - | 33 V | 33 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A | 80 A | 80 A | 80 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | - | 80 A | 80 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.009 Ω | - | 0.009 Ω | 0.009 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | - | TO-220AB | TO-247 | - |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | - | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 | e3 | - |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 | - | 245 | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W | 300 W | 300 W | 300 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | - | 320 A | 320 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | NO | - |
| 端子面层 | TIN | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | - |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 | 符合 | - |
DSP 与 ARM 处理器
Microchip MCU
无线连接
LED专区
无线连接
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
