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FDS6572A

产品描述MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小69KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDS6572A概述

MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

FDS6572A规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)6 毫欧 @ 16A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)80nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5914pF @ 10V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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