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BC636TF

产品描述TRANS PNP 45V 1A TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小54KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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BC636TF概述

TRANS PNP 45V 1A TO-92

BC636TF规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值1W
频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3

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BC638, BC640, BC640−16
High Current Transistors
PNP Silicon
Features
Pb−Free Packages are Available*
http://onsemi.com
COLLECTOR
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
BC638
BC640
Collector-Base Voltage
BC638
BC640
Emitter-Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
stg
−55 to +150
W
mW/°C
°C
mW
mW/°C
1
2
3
V
CBO
−60
−80
−5.0
−0.5
Vdc
Adc
TO−92
CASE 29
STYLE 14
Symbol
V
CEO
−60
−80
Vdc
Value
Unit
Vdc
3
BASE
1
EMITTER
MARKING DIAGRAMS
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
Symbol
R
qJA
R
qJC
Max
200
83.3
Unit
°C/W
°C/W
BC
6x
AYWW
G
G
BC64
0−16
AYWW
G
G
BC6x
= Device Code
x = 3 or 4
BC640−16 = Specific Device Code
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
1
September, 2005 − Rev. 2
Publication Order Number:
BC638/D

BC636TF相似产品对比

BC636TF BC640ZL1 BC636-16ZL1 BC636ZL1 BC636-16 BC636TA BC636TFR
描述 TRANS PNP 45V 1A TO-92 PNP medium power transistors PNP medium power transistors PNP medium power transistors PNP medium power transistors TRANS PNP 45V 1A TO-92 TRANS PNP 45V 1A TO-92
厂商名称 - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) -
包装说明 - CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN CASE 29-11, TO-226, 3 PIN - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 -
制造商包装代码 - CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 - 135AR -
Reach Compliance Code - _compli _compli _compli - compliant -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 -
最大集电极电流 (IC) - 0.5 A 0.5 A 0.5 A - 1 A -
集电极-发射极最大电压 - 80 V 45 V 45 V - 45 V -
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) - 40 100 40 - 25 -
JEDEC-95代码 - TO-92 TO-92 TO-92 - TO-92 -
JESD-30 代码 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3 -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 - e3 -
元件数量 - 1 1 1 - 1 -
端子数量 - 3 3 3 - 3 -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - ROUND ROUND ROUND - ROUND -
封装形式 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL -
极性/信道类型 - PNP PNP PNP - PNP -
最大功率耗散 (Abs) - 0.8 W 1.5 W 0.8 W - 0.8 W -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
表面贴装 - NO NO NO - NO -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) - annealed -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE -
端子位置 - BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM -
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON - SILICON -
标称过渡频率 (fT) - 150 MHz 150 MHz 150 MHz - 100 MHz -
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