26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
26 A, 100 V, 0.06 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 220 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 26 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.06 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 104 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB24NF10 | B24NF10 | STB24NF10_06 | P24NF10 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 26 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 | 3 |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最小击穿电压 | - | 100 V | 100 V | 100 V |
| 加工封装描述 | - | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | - | Yes | Yes | Yes |
| 状态 | - | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 端子涂层 | - | TIN | TIN | TIN |
| 包装材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 壳体连接 | - | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 通道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | - | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | - | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER |
| 最大漏电流 | - | 26 A | 26 A | 26 A |
| 额定雪崩能量 | - | 220 mJ | 220 mJ | 220 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | - | 0.0600 ohm | 0.0600 ohm | 0.0600 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | - | 104 A | 104 A | 104 A |
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