11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
11 A, 600 V, 0.45 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 241 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 45 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.02 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB45NF3LL | STP45NF3LL_06 | STP45NF3LLFP | STB11NM60FD-1 | STB11NM60FD | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 11 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 | 3 | 2 |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | 单一的 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | 开关 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | 硅 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | - | _compli | compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 241 mJ | - | 241 mJ | 350 mJ | 350 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | - | 30 V | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A | - | 27 A | 11 A | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 45 A | - | 27 A | 11 A | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.02 Ω | - | 0.02 Ω | 0.45 Ω | 0.45 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | - | 1 | 1 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | - | 175 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | FLANGE MOUNT | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | NOT SPECIFIED | 245 | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 70 W | - | 25 W | 160 W | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A | - | 108 A | 44 A | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | NO | NO | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) | TIN | Matte Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
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