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2N5210TF

产品描述TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小89KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N5210TF概述

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

2N5210TF规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)700mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)200 @ 100µA,5V
功率 - 最大值625mW
频率 - 跃迁30MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3

2N5210TF相似产品对比

2N5210TF MMBT5210 2N5210TAR
描述 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
晶体管类型 NPN - NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA - 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V - 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 700mV @ 1mA,10mA - 700mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO) - 50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 100µA,5V - 200 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 625mW - 625mW
频率 - 跃迁 30MHz - 30MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) - -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 - 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) - TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装 TO-92-3 - TO-92-3
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