MT47H64M16BT-37E:A,MT47H64M16BT-37E:A pdf中文资料,MT47H64M16BT-37E:A引脚图,MT47H64M16BT-37E:A电路-Datasheet-电子工程世界

MT47H64M16BT-37E:A: 产品描述IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA; 产品类别存储存储; 文件大小8MB，共137页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT47H64M16BT-37E:A概述

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,9X21,32
针数	92
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e1
长度	19 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	92
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA92,9X21,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.007 A
最大压摆率	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	11 mm

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