IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
参数名称 | 属性值 |
存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | DRAM |
技术 | SDRAM |
存储容量 | 512Mb (64M x 8) |
时钟频率 | 133MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns |
访问时间 | 5.4ns |
存储器接口 | 并联 |
电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
供应商器件封装 | 54-TSOP II |
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