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SIHG47N60AEL-GE3

产品描述MOSFET N-CHAN 600V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小128KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHG47N60AEL-GE3在线购买

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SIHG47N60AEL-GE3概述

MOSFET N-CHAN 600V

SIHG47N60AEL-GE3规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)65 毫欧 @ 23.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)222nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4600pF @ 100V
功率耗散(最大值)379W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3
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