MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.5 옴 @ 400mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 20µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 80pF @ 500V |
功率耗散(最大值) | 6W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-SOT223 |
封装/外壳 | SOT-223-3 |
IPN80R4K5P7ATMA1 | IPN80R4K5P7 | |
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描述 | MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 | 800V CoolMOS TM P7 series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. |
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