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NDT014

产品描述MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NDT014概述

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4

NDT014规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
制造商包装代码318H-01
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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6.70
6.20
0.10
C B
B
3.10
2.90
4
A
3.25
1.90
3.70
3.30
6.10
1
2.30
4.60
3
0.84
0.60
1.90
0.95
0.10
C B
2.30
LAND PATTERN RECOMMENDATION
SEE DETAIL A
1.80 MAX
C
0.08
0.10
0.00
C
7.30
6.70
GAGE
PLANE
10°
R0.15±0.05
R0.15±0.05
10° TYP
0.35
0.20
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) DRAWING BASED ON JEDEC REGISTRATION
TO-261C, VARIATION AA.
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS
OR MOLD FLASH. MOLD FLASH OR BURRS
DOES NOT EXCEED 0.10MM.
D) DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M-2009.
E) LANDPATTERN NAME: SOT230P700X180-4BN
F) DRAWING FILENAME: MKT-MA04AREV3
0.25
SEATING
PLANE
10°
1.70
0.60 MIN
DETAIL A
SCALE: 2:1
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