IDT6167LA15DBG概述

Standard SRAM, 16KX1, 15ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20

IDT6167LA15DBG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-20
针数	20
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	15 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T20
JESD-609代码	e3
长度	25.3365 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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IDT6167LA15DBG相似产品对比

	IDT6167LA15DBG	8413209RX	8413206RX	IDT6167SA15DBG	8413204RX	8413205RX
描述	Standard SRAM, 16KX1, 15ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, 1.060 X 0.310 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, 1.060 X 0.310 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 15ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERDIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, 1.060 X 0.310 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DIP-20	Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, 1.060 X 0.310 INCH, 0.200 INCH HEIGHT, DIP-20
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERDIP-20	DIP,	DIP,	0.300 INCH, CERDIP-20	DIP,	DIP,
针数	20	20	20	20	20	20
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	15 ns	45 ns	25 ns	15 ns	35 ns	35 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T20	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20	R-GDIP-T20	R-XDIP-T20	R-XDIP-T20
JESD-609代码	e3	e0	e0	e3	e0	e0
长度	25.3365 mm	25.3365 mm	25.3365 mm	25.3365 mm	25.3365 mm	25.3365 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20	20
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, GLASS-SEALED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT APPLICABLE	-	260	-	NOT APPLICABLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT APPLICABLE	-	30	-	NOT APPLICABLE
筛选级别	-	MIL-STD-883	MIL-STD-883	-	MIL-STD-883	MIL-STD-883

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