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CMOD6001 TR: 产品描述DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小555KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMOD6001 TR概述

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523

CMOD6001 TR规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	75V
电流 - 平均整流（Io）	250mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 100mA
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	3µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	500pA @ 75V
不同 Vr，F 时的电容	2pF @ 0V，1MHz
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-79，SOD-523
供应商器件封装	SOD-523
工作温度 - 结	-65°C ~ 150°C

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CMOD6001

SURFACE MOUNT

ULTRA LOW LEAKAGE

SILICON SWITCHING DIODE

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOD6001 type is

a silicon switching diode manufactured by the epitaxial

planar process, epoxy molded in a ULTRAmini™

surface mount package, designed for switching

applications requiring a extremely low leakage diode.

MARKING CODE: 61

SOD-523 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL

SYMBOL

BVR

trr

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

100

250

4.0

1.0

250

-65 to +150

500

UNITS

°C

°C/W

CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

VR=75V

IR=100μA

100

IF=1.0mA

IF=10mA

IF=100mA

VR=0, f=1.0MHz

IR=IF=10mA Irr=1.0mA, RL=100Ω

MAX

500

0.85

0.95

1.1

2.0

3.0

UNITS

μs

R6 (9-May 2011)

推荐资源

DX2型三相三线无功电能表经电流互感器接入电路

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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