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RN2130MFV,L3F

产品描述X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小168KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2130MFV,L3F概述

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

RN2130MFV,L3F规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)100 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VESM

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RN2130MFV
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2130MFV
0.22±0.05
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
1.2±0.05
0.8±0.05
Unit: mm
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
Complementary to RN1130MFV
0.4
0.4
1
2
3
Equivalent Circuit
0.5±0.05
VESM
JEDEC
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2-1L1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−100
150
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEITA
TOSHIBA
Weight : 1.5 mg (typ.)
Note1: Mounted on FR4 board (25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mmt)
Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Land Pattern Example
0.5
0.45
Unit: mm
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
Start of commercial production
2005-04
1
2014-03-01
0.13±0.05

RN2130MFV,L3F相似产品对比

RN2130MFV,L3F RN2130MFV(TL3PAV) RN2130MFV(TL3SONY)
描述 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code - unknown unknown
其他特性 - BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) - 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 - 50 V 50 V
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) - 100 100
JESD-30 代码 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - PNP PNP
表面贴装 - YES YES
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
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