电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RN2108MFV,L3F

产品描述X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小496KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RN2108MFV,L3F概述

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

RN2108MFV,L3F规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)22 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)47 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VESM

文档预览

下载PDF文档
RN2107MFV to RN2109MFV
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2107MFV, RN2108MFV, RN2109MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
0.22±0.05
Unit: mm
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
1.2±0.05
0.8±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Complementary to the RN1107MFV to RN1109MFV
0.4
0.4
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
1
2
3
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
0.5±0.05
Type No.
RN2107MFV
RN2108MFV
RN2109MFV
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
VESM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1L1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2107MFV to
RN2109MFV
RN2107MFV
Emitter-base voltage
RN2108MFV
RN2109MFV
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2107MFV
to
RN2109MFV
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−100
150
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Weight: 1.5 mg (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board (25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mmt)
0.5
0.45
Land Pattern Example
Unit: mm
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
Start of commercial production
2005-02
1
2016-09-14
CH579的Bootloader问题
请教下大神,我用的CH579,关于Bootloader有2个地方没明白。 1.方式1,地址:https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1154663-1-1.html,这个里面如果在ImageA里升级ImageB,然后把ImageB的中断 ......
水上的浮尘 国产芯片交流
RAW-OS上的小游戏---你玩过Flappy Bird的三种模式吗
本帖最后由 洗澡哥 于 2014-8-25 01:45 编辑 RAW-OS上的小游戏---你玩过Flappy Bird的三种模式吗参与HELPER2416开发板助学计划 首先感谢BOSS,给了大家一个这么好的学习机会。 近期学 ......
洗澡哥 嵌入式系统
嵌入式Internet以太网接口的设计与实现
在电子设备日趋网络的背景下,目前广泛使用的以太网及TCP/IP协议已经成为事实上最常用的网络标准之一,它的高速、可靠、分层及可扩充性使得它在各个领域的应用越来越灵活,很多情况下运用以太网 ......
Jacktang 微控制器 MCU
SPI转USB CDC
本帖最后由 woody_chen 于 2021-6-30 10:04 编辑 最近在做一个项目,主板和子板是UART通信。而MCU只有一路UART,这样就没有串口打印来调试了。思来想去,芯片还有很多空余GPIO可以写一个软件 ......
woody_chen 聊聊、笑笑、闹闹
电池组SOC
电池组SOC 对于电池组目前电量计实现方法主要有TI的阻抗跟踪、电流积分的库伦计、卡曼滤波、估算的开路电压法,哪个对BMS电量计有了解过的?展开讲讲这四种方法的优缺点 ...
QWE4562009 分立器件
Cortex-M3技术参考手册_CN.pdf
希望能找到中文的Cortex-M3技术参考手册.pdf!...
ilovedrv stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1151  637  779  2711  1347  5  43  10  23  54 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved