Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ810N22KOF
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
I
TAVM
I
TSM
v
T0
r
T
R
thJC
Baseplate
Weight
2200 V
819 A (T
C
=85°C)
39000 A
3570A (T
C
=55°C)
0,82 V
0,17 mΩ
0,0405 K/W
70 mm
1950 g
For type designation please refer to actual
shortform catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichricher für UPS
Batterieladegleichrichter
Sanftanlasser
Kurzschluss-Applikationen
Leistungssteller
Statische Umschalter
Druckkontakt- Technologie für hohe
Verlässlichkeit
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Grundplatte
Advanced medium power technology
Optional: Thermisches Interface Material (TIM)
bereits aufgetragen
Features
Pressure contact technology for high reliability
Industial standard package
Electrically insulated baseplate
Advanced medium power technology
Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
Typical Applications
Rectifier for Drives Applications
Rectifiers for UPS
Battery chargers
Soft starter
Crowbar applications
Power controllers
Static switches
content of customer DMX code DMX code DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class
23..26
4
QR class
27..30
4
Date of Publication 2017-02-02
Revision: 3.2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ810N22KOF
TZ810N22KOF
TZ810N22KOF_TIM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
2200 V
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
2200 V
2300 V
1500 A
819 A
39.000 A
35.000 A
7.605.000 A²s
6.125.000 A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3000 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 1Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥ 10Ω
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs, t
g
= 20µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
1,51 V
0,82 V
0,17 mΩ
250 mA
2 V
10 mA
5 mA
0,2 V
500 mA
2500 mA
150 mA
4 µs
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revision:
3.2
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
TZ810N22KOF
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
t
q
Thermische Eigenschaften
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
typ.
V
ISOL
240 µs
3,0 kV
3,6 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R
thJC
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
0,042 K/W
0,0405 K/W
0,015 K/W
0,012 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM
thermal resistance, case to heatsink with TIM
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Lagertemperatur mit TIM
storage temperature with TIM
pro Modul / per Module
R
thCH
max.
pro Modul / per Module
max.
Mechanische Eigenschaften
T
vj max
T
c op
T
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
+5…+50 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
G
M1
M2
Seite 4
page 4
AlN
6
18
A 2,8 x 0,8
typ.
1950 g
36 mm
50 m/s²
E 83335
Nm
Nm
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ810N22KOF
4
90±1
7
8+0,8
- 0,2
1 ,5
76±1
1
46±1
,5
6,5±0,2
70±1
80
92±0,2
1
04±1
2
4 5
30
58±0,2
1
TZ
79,5+0,5
,5
-1
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ810N22KOF
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[K/W]
τ
n
[s]
0,00507
0,02313
0,00866
0,00267
0,0011
9,98
4,994
0,30347
0,0188
0,01
n
max
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
R
–t
thn
1 -e
n
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZ
th Θ rec
/ ΔZ
th Θ sin
Θ = 180°
ΔZ
th Θ rec
[K/W]
ΔZ
th Θ sin
[K/W]
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
0,00137
0,00196
0,00229
0,00265
0,00304
0,00142
0,00175
0,00209
0,00248
0,00299
Z
th Θ rec
= Z
th DC
+
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
= Z
th DC
+
Z
th Θ sin
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Microchip MCU
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