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BYM300B170DN2HOSA1

产品描述MOD IGBT MED POWER 62MM-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BYM300B170DN2HOSA1概述

MOD IGBT MED POWER 62MM-1

BYM300B170DN2HOSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明R-XUFM-X3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X3
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流300 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Sperrspannung der Diode
Diode rerverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
T
vj
= 25°C
V
CES
1700
V
T
C
= 80 °C
I
F
300
A
tp = 1 ms
I
FRM
600
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
2
I t
23,5
k A
2
s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
4,0
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 300A, - di
F
/dt = 4500A/µs
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 900V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
E
rec
-
-
16
31
-
-
mWs
mWs
Q
r
-
-
34
75
-
-
µAs
µAs
I
RM
-
-
220
330
-
-
A
A
V
F
min.
-
-
typ.
2,2
2
max.
2,6
-
V
V
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2002-11-25
revision: 2.2
1(4)
DB_BYM300B170DN2_2.2.xls

BYM300B170DN2HOSA1相似产品对比

BYM300B170DN2HOSA1 BYM300B170DN2
描述 MOD IGBT MED POWER 62MM-1 IGBT Modules N-CH 1.7KV 300A
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 R-XUFM-X3 R-XUFM-X3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-XUFM-X3 R-XUFM-X3
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 300 A 300 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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