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FDMJ1028N

产品描述MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小335KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FDMJ1028N概述

MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

FDMJ1028N规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)200pF @ 10V
功率 - 最大值800mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-MicroFET(2x2)
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