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PSMN165-200K,518

产品描述MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小867KB,共12页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PSMN165-200K,518概述

MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1

PSMN165-200K,518规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
零件包装代码SOIC
包装说明PLASTIC, SO-8
针数8
制造商包装代码SOT96-1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.9 A
最大漏极电流 (ID)2.9 A
最大漏源导通电阻0.165 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

PSMN165-200K,518相似产品对比

PSMN165-200K,518 PSMN165-200K,118
描述 MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin
Brand Name Nexperia Nexperia
零件包装代码 SOIC SOIC
针数 8 8
制造商包装代码 SOT96-1 SOT96-1
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