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MT9HTF12872FY-53EA4E3

产品描述MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240FBDIMM
产品类别存储    存储   
文件大小363KB,共16页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT9HTF12872FY-53EA4E3概述

MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240FBDIMM

MT9HTF12872FY-53EA4E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Codeunknown
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N240
内存密度9663676416 bit
内存宽度72
端子数量240
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.5,1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

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512MB, 1GB (x72, SR) 240-Pin DDR2 SDRAM FBDIMM
Features
DDR2 SDRAM FBDIMM
MT9HTF6472F – 512MB
MT9HTF12872F – 1GB
For the component data sheet, refer to Micron’s Web site:
www.micron.com
Features
• 240-pin, DDR2 fully-buffered dual in-line memory
module (FBDIMM)
• Fast data transfer rates: PC2-4200, PC2-5300, or
PC2-6400
• 512MB (64 Meg x 72), 1GB (128 Meg x 72)
• 3.2 Gb/s, 4.0 Gb/s, and 4.8 Gb/s link transfer rates
• High-speed, 1.5V differential, point-to-point link
between the host controller and advanced memory
buffer (AMB)
• Fault tolerant; can work around a bad bit lane in
each direction
• High-density scaling with up to eight FBDIMMs per
channel
• SMBus interface to AMB for configuration register
access
• In-band and out-of-band command access
• Deterministic protocol
Enables memory controller to optimize DRAM
accesses for maximum performance
Delivers precise control and repeatable memory
behavior
• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel
calibration
• Transmitter de-emphasis to reduce ISI
• MBIST and IBIST test functions
• Transparent mode for DRAM test support
Figure 1:
240-Pin FBDIMM (MO-256 R/C A)
PCB height: 30.35mm (1.19in)
Features (continued)
• V
DD
= V
DD
Q = +1.8V for DRAM
• V
REF
= 0.9V SDRAM command and address
termination
• V
CC
= 1.5V for AMB
• V
DDSPD
= +3.0V to +3.6V for AMB and EEPROM
• Serial presence-detect (SPD) with EEPROM
• Gold edge contacts
• Single rank
• Supports 95°C operation with 2X refresh
Options
• Package
240-pin DIMM (Pb-free)
• Frequency/CAS latency
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
1
Marking
Y
-80E
-667
-53E
Notes: 1. Not recommended for new designs.
Table 1:
Speed
Grade
-80E
-667
-53E
Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Industry Nomenclature
PC2-6400
PC2-5300
PC2-4200
CL = 5
800
667
CL = 4
533
533
533
CL = 3
400
400
t
RCD
t
RP
t
RC
(ns)
12.5
15
15
(ns)
12.5
15
15
(ns)
55
55
55
PDF: 09005aef81a2f1eb/Source: 09005aef81a2f20c
HTF9C64_128x72F.fm - Rev. B 9/07 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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