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AOT11C60

产品描述MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小467KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
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AOT11C60概述

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220

AOT11C60规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)440 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)42nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2000pF @ 100V
功率耗散(最大值)278W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220
封装/外壳TO-220-3
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