MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 27A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 220 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 210nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3500pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 360W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| APT5022BNG | APT5020BN | APT5022BN | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD | MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| Reach Compliance Code | - | unknown | compliant |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 28 A | 27 A |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 360 W | 360 W |
| 表面贴装 | - | NO | NO |
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