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IRF9520NLPBF

产品描述MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小417KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF9520NLPBF概述

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3

IRF9520NLPBF规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)480 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)27nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)350pF @ 25V
功率耗散(最大值)3.8W(Ta),48W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-262
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

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PD- 95764
IRF9520NSPbF
IF9520NLPbF
• Lead-Free
www.irf.com
1
04/26/05

IRF9520NLPBF相似产品对比

IRF9520NLPBF IF9520NLPBF
描述 MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
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