PDTC114ETT/R,PDTC114ETT/R pdf中文资料,PDTC114ETT/R引脚图,PDTC114ETT/R电路-Datasheet-电子工程世界

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PDTC114ETT/R: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小99KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTC114ETT/R概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

PDTC114ETT/R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

PDTC114ETT/R相似产品对比

	PDTC114ETT/R	PDTC114EKT/R	PDTC114EET/R	PDTC114EUT/R
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-59A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SC-75	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN	TIN	TIN	TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)

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