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SRT12 A0G

产品描述DIODE SCHOTTKY 20V 1A TS-1
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小199KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SRT12 A0G概述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A TS-1

SRT12 A0G规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)20V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf550mV @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500µA @ 20V
安装类型通孔
封装/外壳T-18,轴向
供应商器件封装TS-1
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C

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SRT12 thru SRT115
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low forward voltage drop
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Schottky Barrier Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
TS-1
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
TS-1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
I
R
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
- 55 to +125
10
-
110
5
-
80
50
- 55 to +150
- 55 to +150
SRT
12
20
14
20
SRT
13
30
21
30
SRT
14
40
28
40
SRT
15
50
35
50
1
25
0.70
0.80
0.1
-
2
28
O
SRT
16
60
42
60
SRT
19
90
63
90
SRT
110
100
70
100
SRT
115
150
105
150
UNIT
V
V
V
A
A
0.90
V
mA
pF
C/W
O
O
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300
μs,
1% duty cycle
Note 2: Measured at 1.0 MHz and Applied V
R
=4.0 Volts
C
C
Document Number: DS_D1308042
Version: H13
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