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MMS8050-H-TP

产品描述TRANS PREBIAS NPN 25V SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小206KB,共2页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MMS8050-H-TP在线购买

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MMS8050-H-TP概述

TRANS PREBIAS NPN 25V SOT23

MMS8050-H-TP规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)600mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 50mA,1V
功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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$ %    !"#
MMS8050-L
MMS8050-H
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Capable of 0.3Watts(Tamb=25
O
C) of Power Dissipation.
Collector-current 0.5A
Collector-base Voltage 40V
Operating and storage junction temperature range: -55
O
C to +150
O
C
Marking Code: J3Y
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
NPN Silicon
Plastic-Encapsulate
Transistor
SOT-23
A
D
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100μAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=0.1mAdc, I
B
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100μAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=40Vdc, I
E
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=20Vdc, I
B
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=50mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
DCCurrent Gain
(I
C
=500mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base- Emitter Voltage
(I
E
=100mAdc)
Transistor Frequency
(I
C
=20mAdc, V
CE
=6.0Vdc, f=30MHz)
Min
40
25
5.0
---
---
---
Max
---
---
---
0.1
0.1
0.1
Units
C
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
Vdc
Vdc
Vdc
F
E
C
B
B
E
μAdc
μAdc
μAdc
G
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MAX
.120
.104
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
ON CHARACTERISTICS
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
EB
120
50
---
---
---
350
---
0.6
1.2
1.4
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
150
---
MHz
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
CLASSIFICATION OF H
FE (1)
Rank
Range
L
120-200
H
200-350
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
C
1 of 2
2013/01/01

MMS8050-H-TP相似产品对比

MMS8050-H-TP MMS8050-L-TP
描述 TRANS PREBIAS NPN 25V SOT23 TRANS PREBIAS NPN 25V SOT23
晶体管类型 NPN NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 25V 25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 50mA,500mA 600mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 50mA,1V 120 @ 50mA,1V
功率 - 最大值 300mW 300mW
频率 - 跃迁 150MHz 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23 SOT-23
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