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BAS21W RVG

产品描述DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小129KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BAS21W RVG概述

DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT323

BAS21W RVG规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)250V
电流 - 平均整流(Io)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.25V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 250V
不同 Vr,F 时的电容5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

BAS21W RVG相似产品对比

BAS21W RVG BAS19W RVG BAS20W RVG BAS20WRVG
描述 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT323 DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323 DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, GREEN PACKAGE-3
二极管类型 标准 标准 标准 RECTIFIER DIODE
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 250V 100V 150V -
电流 - 平均整流(Io) 200mA 200mA 200mA -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.25V @ 100mA 1.25V @ 100mA 1.25V @ 100mA -
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 -
反向恢复时间(trr) 50ns 50ns 50ns -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 250V 100nA @ 100V 100nA @ 150V -
不同 Vr,F 时的电容 5pF @ 0V,1MHz 5pF @ 0V,1MHz 5pF @ 0V,1MHz -
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 -
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323 -
供应商器件封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323 -
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -

 
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