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1N5406TA

产品描述DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小350KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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1N5406TA概述

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

1N5406TA规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 3A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容30pF @ 0V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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1N5400-1N5408
Technical Data
Data Sheet N0547, Rev. A
1N5400 THRU 1N5408
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER
Features
Th
e plastic package carries Underwriters Laboratory
DO-201AD
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10s,0.375”(9.5mm) lead length,5lbs.(2.3kg) tension
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: DO-201AD molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-
STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.04 ounce, 1.10 grams
Single phase half-wave 60Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum RMS voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at @T
A
=75°C
Peak forward surge current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC
Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
At Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
DC
V
RMS
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
1N 1N 1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
50
35
100
70
200
140
300
210
400
280
3.0
200
1.2
5.0
100
30
20
-65 to +175
-65 to +175
500
350
600
420
800
560
1000
700
Units
V
V
A
A
V
µA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient (Note 2)
Operating junction temperature range
Operating storage temperature range
Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length, P.C.B. mounted
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

1N5406TA相似产品对比

1N5406TA 1N5404TA 1N5408TA 1N5402TA 1N5400TA 1N5401TA 1N5407TA
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V 400V 1000V 200V 50V 100V 800V
电流 - 平均整流(Io) 3A 3A 3A 3A 3A 3A 3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A 1.2V @ 3A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 600V 5µA @ 400V 5µA @ 1000V 5µA @ 200V 5µA @ 50V 5µA @ 100V 5µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容 30pF @ 0V,1MHz 30pF @ 0V,1MHz 30pF @ 0V,1MHz 30pF @ 4V,1MHz 30pF @ 0V,1MHz 30pF @ 0V,1MHz 30pF @ 0V,1MHz
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
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