TPSMC18AHE3/9AT,TPSMC18AHE3/9AT pdf中文资料,TPSMC18AHE3/9AT引脚图,TPSMC18AHE3/9AT电路-Datasheet-电子工程世界

TPSMC18AHE3/9AT: 产品描述TVS DIODE 15.3V 25.2V DO214AB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小85KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

TPSMC18AHE3/9AT概述

TVS DIODE 15.3V 25.2V DO214AB

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	DO-214AB
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	18.9 V
最小击穿电压	17.1 V
击穿电压标称值	18 V
最大钳位电压	25.2 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	185 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压	15.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190