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SM5S36-E3/2D

产品描述TVS DIODE 36V 64.3V DO218AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SM5S36-E3/2D概述

TVS DIODE 36V 64.3V DO218AB

SM5S36-E3/2D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-218
包装说明R-PSSO-C1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
最大击穿电压48.9 V
最小击穿电压40 V
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-218AB
JESD-30 代码R-PSSO-C1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散3600 W
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压36 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40

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SM5S10 thru SM5S36A
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount PAR
®
Transient Voltage Suppressors
High Temperature Stability and High Reliability Conditions
FEATURES
• Junction passivation optimized design passivated
anisotropic rectifier technology
• T
J
= 175 °C capability suitable for high reliability
and automotive requirement
• Available in uni-directional polarity only
• Low leakage current
• Low forward voltage drop
• High surge capability
• Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test
condition)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
245 °C
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
3600 W
2800 W
5W
500 A
175 °C
DO-218AB
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
WM
P
PPM
(10 x 1000 μs)
P
PPM
(10 x 10 000 μs)
P
D
I
FSM
T
J
max.
10 V to 36 V
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting,
especially for automotive load dump protection application.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-218AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Heatsink is anode
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
with 10/1000 μs waveform
Peak pulse power dissipation
with 10/10 000 μs waveform
Power dissipation on infinite heatsink at T
C
= 25 °C (fig. 1)
Peak pulse current with 10/1000 μs waveform
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
Non-repetitive current pulse at T = 25 °C
A
P
PPM
P
D
I
PPM (1)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
VALUE
3600
W
2800
5.0
See next table
500
- 55 to + 175
W
A
A
°C
UNIT
Revision: 14-Sep-11
Document Number: 88382
1
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