MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 75V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 110A |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.9 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 115nC @ 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 17-SMD，鸥翼 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
| GWM120-0075X1-SMD | GWM120-0075X1-SLSAM | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS | mosfet 3 phase full bridge |
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