MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 118A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 100nC @ 10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 17-SMD,鸥翼 |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
GWM120-0075P3-SMD | GWM120-0075P3 | GWM120-0075P3-SL | |
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描述 | MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS | Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package | MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS |
FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) | - | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 功能 | 标准 | - | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 75V | - | 75V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 118A | - | 118A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5.5 毫欧 @ 60A,10V | - | 5.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 100nC @ 10V | - | 100nC @ 10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 | - | 表面贴装 |
封装/外壳 | 17-SMD,鸥翼 | - | 17-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ | - | ISOPLUS-DIL™ |
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