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GWM120-0075P3-SMD

产品描述MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小190KB,共6页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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GWM120-0075P3-SMD在线购买

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GWM120-0075P3-SMD概述

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

GWM120-0075P3-SMD规格参数

参数名称属性值
FET 类型6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)118A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)100nC @ 10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳17-SMD,鸥翼
供应商器件封装ISOPLUS-DIL™

GWM120-0075P3-SMD相似产品对比

GWM120-0075P3-SMD GWM120-0075P3 GWM120-0075P3-SL
描述 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
FET 类型 6 N-沟道(3 相桥) - 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能 标准 - 标准
漏源电压(Vdss) 75V - 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 118A - 118A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 60A,10V - 5.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA - 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V - 100nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) - -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装 - 表面贴装
封装/外壳 17-SMD,鸥翼 - 17-SMD,扁平引线
供应商器件封装 ISOPLUS-DIL™ - ISOPLUS-DIL™
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