IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
参数名称 | 属性值 |
晶体管类型 | LDMOS |
频率 | 1.99GHz |
增益 | 15.9dB |
电压 - 测试 | 30V |
额定电流 | 10µA |
电流 - 测试 | 1.8A |
功率 - 输出 | 50W |
电压 - 额定 | 65V |
封装/外壳 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
供应商器件封装 | H-37260-2 |
PTFA192001FV4FWSA1 | PTFA192001F V4 R250 | PTFA192001EV4XWSA1 | PTFA192001EV4R250XTMA1 | PTFA192001EV4R0XTMA1 | |
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描述 | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 | IC fet RF ldmos 200w H-37260-2 | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 |
晶体管类型 | LDMOS | - | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
频率 | 1.99GHz | - | 1.99GHz | 1.99GHz | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
增益 | 15.9dB | - | 15.9dB | 15.9dB | 15.9dB |
电压 - 测试 | 30V | - | 30V | 30V | 30V |
额定电流 | 10µA | - | 10µA | 10µA | 10µA |
电流 - 测试 | 1.8A | - | 1.8A | 1.8A | 1.6A |
功率 - 输出 | 50W | - | 50W | 50W | 200W |
电压 - 额定 | 65V | - | 65V | 65V | 65V |
封装/外壳 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | - | 2-扁平封装,叶片引线 | 2-扁平封装,叶片引线 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
供应商器件封装 | H-37260-2 | - | H-36260-2 | H-36260-2 | H-36260-2 |
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