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PTFA192001FV4FWSA1

产品描述IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小428KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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PTFA192001FV4FWSA1概述

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

PTFA192001FV4FWSA1规格参数

参数名称属性值
晶体管类型LDMOS
频率1.99GHz
增益15.9dB
电压 - 测试30V
额定电流10µA
电流 - 测试1.8A
功率 - 输出50W
电压 - 额定65V
封装/外壳2-扁平封装,叶片引线,带法兰
供应商器件封装H-37260-2

PTFA192001FV4FWSA1相似产品对比

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描述 IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 IC fet RF ldmos 200w H-37260-2 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
晶体管类型 LDMOS - LDMOS LDMOS LDMOS
频率 1.99GHz - 1.99GHz 1.99GHz 1.93GHz ~ 1.99GHz
增益 15.9dB - 15.9dB 15.9dB 15.9dB
电压 - 测试 30V - 30V 30V 30V
额定电流 10µA - 10µA 10µA 10µA
电流 - 测试 1.8A - 1.8A 1.8A 1.6A
功率 - 输出 50W - 50W 50W 200W
电压 - 额定 65V - 65V 65V 65V
封装/外壳 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 - 2-扁平封装,叶片引线 2-扁平封装,叶片引线 2-扁平封装,叶片引线,带法兰
供应商器件封装 H-37260-2 - H-36260-2 H-36260-2 H-36260-2

 
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