MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 78 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 716pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 31W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| IPU78CN10N G | IPB79CN10N G | IPI80CN10N G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3 | mosfet N-CH 100v 13a to263-3 | MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3 |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | - | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 13A（Tc） | - | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | - | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 78 毫欧 @ 13A，10V | - | 80 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 12µA | - | 4V @ 12µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 10V | - | 11nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 716pF @ 50V | - | 716pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 31W（Tc） | - | 31W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | - | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 | - | PG-TO262-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | - | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
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