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DIM1200ESM33-F000

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, E, 9 PIN
产品类别晶体管   
文件大小960KB,共9页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
标准  
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DIM1200ESM33-F000概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, E, 9 PIN

DIM1200ESM33-F000规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Dynex
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
针数9
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-PUFM-X9
元件数量3
端子数量9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)2440 ns
标称接通时间 (ton)1515 ns
Base Number Matches1

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