IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
| 包装说明 | VFBGA-90 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 90 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 1.025 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| W949D2DBJX5I | W949D6DBHX5E | W989D6DBGX6I | W989D2DBJX6I | W949D6DBHX5I | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA |
| 技术 | CMOS | CMOS | SDRAM - 移动 LPSDR | CMOS | CMOS |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | VFBGA-90 | TFBGA, | - | TFBGA, | TFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - | compliant | compliant |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5 ns | 5 ns | - | 5 ns | 5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B60 | - | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B60 |
| 长度 | 13 mm | 9 mm | - | 13 mm | 9 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | - | 536870912 bit | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | - | SYNCHRONOUS DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 16 | - | 32 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 90 | 60 | - | 90 | 60 |
| 字数 | 16777216 words | 33554432 words | - | 16777216 words | 33554432 words |
| 字数代码 | 16000000 | 32000000 | - | 16000000 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -25 °C | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 16MX32 | 32MX16 | - | 16MX32 | 32MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | - | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 座面最大高度 | 1.025 mm | 1.025 mm | - | 1.025 mm | 1.025 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | - | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | - | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | OTHER | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | - | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | - | 8 mm | 8 mm |
安防电子
Microchip MCU
PCB设计
NXP MCU
DSP 与 ARM 处理器
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
