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MT4LC4M16R6TG-6SIT

产品描述EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
产品类别存储   
文件大小413KB,共24页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4LC4M16R6TG-6SIT概述

EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50

MT4LC4M16R6TG-6SIT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G50
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
端子数量50
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.00035 A
最大压摆率0.165 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MT4LC4M16R6TG-6SIT相似产品对比

MT4LC4M16R6TG-6SIT MT4LC4M16R6TG-5SIT
描述 EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology
Reach Compliance Code not_compliant unknown
最长访问时间 60 ns 50 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 16 16
端子数量 50 50
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 4MX16 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP
封装等效代码 TSOP50,.46,32 TSOP50,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.00035 A 0.00035 A
最大压摆率 0.165 mA 0.15 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
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