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IRFR5505CTRLPBF

产品描述MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFR5505CTRLPBF概述

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

IRFR5505CTRLPBF规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)110 毫欧 @ 9.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)32nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)650pF @ 25V
功率耗散(最大值)57W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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PD - 95077A
IRFR5505PbF
IRFU5505PbF
Lead-Free
www.irf.com
1
1/10/05

IRFR5505CTRLPBF相似产品对比

IRFR5505CTRLPBF IRFR5505CPBF
描述 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
FET 类型 P 沟道 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 110 毫欧 @ 9.6A,10V 110 毫欧 @ 9.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V 32nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V 650pF @ 25V
功率耗散(最大值) 57W(Tc) 57W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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