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IRFR120NCTRLPBF

产品描述MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小389KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFR120NCTRLPBF概述

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

IRFR120NCTRLPBF规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)210 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)330pF @ 25V
功率耗散(最大值)48W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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PD - 95067A
IRFR/U120NPbF
Lead-Free
www.irf.com
1
12/9/04

IRFR120NCTRLPBF相似产品对比

IRFR120NCTRLPBF IRFR120NCPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Ta) 9.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 210 毫欧 @ 5.6A,10V 210 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V 330pF @ 25V
功率耗散(最大值) 48W(Tc) 48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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