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FDMS8670AS

产品描述MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小236KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDMS8670AS概述

MOSFET N-CH 30V 23A POWER56

FDMS8670AS规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)23A(Ta),42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)55nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3615pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),78W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-PQFN(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN
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