MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SO-8FL, DFN-8 |
| 制造商包装代码 | 506BT |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 171 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 145 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0039 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 48 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 644 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| NVMFD5C446NLT1G | NVMFD5C446NLWFT1G | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL | MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SO-8FL, DFN-8 | SO-8FL, DFN-8 |
| 制造商包装代码 | 506BT | 506BT |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 171 mJ | 171 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 145 A | 145 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0039 Ω | 0.0039 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 48 pF | 48 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 644 A | 644 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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