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DN2535N3P018

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
产品类别晶体管   
文件大小126KB,共4页
制造商Supertex
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DN2535N3P018概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

DN2535N3P018规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (ID)0.17 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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