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IDT7008L15JG8

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 15ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84
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文件大小152KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7008L15JG8概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 15ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84

IDT7008L15JG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCN, LDCC84,1.2SQ
针数84
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-N84
JESD-609代码e3
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCN
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.325 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED
64K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
IDT7008S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)
– Industrial: 20/55ns (max.)
– Military: 25/35/55ns (max.)
Low-power operation
– IDT7008S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7008L
Active: 750mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT7008 easily expands data bus width to 16 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in 84-pin PGA, 84-pin PLCC, and a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/W
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
I/O
0-7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0-7R
BUSY
L
A
15L
A
0L
(1,2)
BUSY
R
64Kx8
MEMORY
ARRAY
7008
16
16
(1,2)
Address
Decoder
Address
Decoder
A
15R
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
L
SEM
L
(2)
INT
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0R
CE
1R
OE
R
R/W
R
SEM
R
(2)
INT
R
3198 drw 01
M/S
(1)
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S = V
IL
) and an output when it is a Master (M/S = V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
APRIL 2006
DSC 3198/8
1
©2006 Integrated Device Technology, Inc.

IDT7008L15JG8相似产品对比

IDT7008L15JG8 IDT7008L15JG IDT7008L20PFGI8
描述 Dual-Port SRAM, 64KX8, 15ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 15ns, CMOS, PQCC84, 1.15 X 1.15 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84 Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC LCC QFP
包装说明 QCCN, LDCC84,1.2SQ QCCN, LDCC84,1.2SQ LFQFP, QFP100,.63SQ,20
针数 84 84 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 15 ns 15 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-N84 S-PQCC-N84 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 e3 e3
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 84 84 100
字数 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN QCCN LFQFP
封装等效代码 LDCC84,1.2SQ LDCC84,1.2SQ QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.01 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.325 mA 0.325 mA 0.335 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1
Is Samacsys N N -

 
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