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FP50R12KE3BOSA1

产品描述IGBT MODULE 1200V 50A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小513KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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FP50R12KE3BOSA1概述

IGBT MODULE 1200V 50A

FP50R12KE3BOSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
针数35
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X35
元件数量7
端子数量35
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)610 ns
标称接通时间 (ton)135 ns
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