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MMDT4401-TP

产品描述TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小381KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MMDT4401-TP概述

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

MMDT4401-TP规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)750mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 150mA,1V
功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁250MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMDT4401
·
·
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Ultra-Small Surface Mount Package
Epitaxial Planar Die Construction
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
SOT-363
G
Marking:K2X
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating(NPN)
40
60
6
0.6
0.2
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
B
C
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=100uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=50Vdc,I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-5Vdc,I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=1mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=150mAdc, V
CE
=1Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=2Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(V
CE
=10.0Vdc, I
C
=20mAdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=5Vdc, f=1.0MHz, I
E
=0)
V
CC
=30V,I
C
=150mA,
Delay Time
V
BE
=2.00V, I
B1
=15.00mA
Rise Time
Storage Time
V
CC
=30V, I
C
=150mA,
I
B1
=-I
B2
=15mA
Fall Time
Min
40
60
6
---
---
20
40
80
100
40
---
---
0.75
---
250
---
---
---
---
---
Max
---
---
---
0.1
0.1
---
---
----
300
---
0.4
0.75
0.95
5
1.2
---
6.5
15
20
225
30
Units
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.006
.014
.045
.053
.085
.096
.026
.047
.055
.071
.087
---
.004
.035
.043
.010
.018
.003
.006
MM
MIN
MAX
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
K
J
D
L
A
H
M
h
FE
---
V
CE(sat)
Vdc
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
S
t
f
Vdc
MHz
pF
ns
ns
ns
ns
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
NOTE
Revision:
B
www.mccsemi.com
1
of
3
2013/01/01

MMDT4401-TP相似产品对比

MMDT4401-TP
描述 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
晶体管类型 2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 750mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,1V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SOT-363

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