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MUR120-TP

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小351KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MUR120-TP概述

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

MUR120-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.35V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)45ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容20pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MUR105
THRU
MUR1100
1 Amp Super Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-41
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Super Fast Switching Speed For High Efficiency
Marking:TypeNumber
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
MCC
Part Number
MUR105
MUR110
MUR115
MUR120
MUR140
MUR160
MUR180
MUR1100
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
I
F(AV)
I
FSM
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
105V
140V
280V
420V
560V
700V
1A
35A
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
T
A
= 55°C
8.3ms, half sine
D
D
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
MUR105-115
MUR120-160
MUR180-1100
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
MUR105-120
MUR140-160
MUR180-1100
Typical Junction
Capacitance
Note:
A
Cathode
Mark
B
V
F
.975V
1.35V
1.75V
5µA
50µA
I
FM
= 1.0A;
T
A
= 25°C
C
I
R
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
DIM
A
B
C
D
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
T
rr
45ns
60ns
75ns
20pF
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
C
J
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision:
B
www.mccsemi.com
1
of
4
2013/01/01

MUR120-TP相似产品对比

MUR120-TP MUR160-TP MUR180-TP MUR1100-TP
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
二极管类型 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V 600V 800V 1000V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.35V @ 1A 1.35V @ 1A 1.75V @ 1A 1.75V @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 45ns 60ns 75ns 75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 200V 5µA @ 600V 5µA @ 800V 5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
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