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SS15E-TP

产品描述DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMAE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小358KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SS15E-TP概述

DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMAE

SS15E-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)50V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf700mV @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500µA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容110pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装SMAE
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

SS15E-TP相似产品对比

SS15E-TP SS12E-TP SS110E-TP SS14E-TP SS16E-TP
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMAE DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMAE DIODE SCHOTTKY 1A 100V SMAE DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMAE DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMAE
二极管类型 肖特基 肖特基 肖特基 肖特基 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 50V 20V 100V 40V 60V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 700mV @ 1A 600mV @ 1A 850mV @ 10A 600mV @ 1A 700mV @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 500µA @ 50V 500µA @ 20V 500µA @ 100V 500µA @ 40V 500µA @ 60V
不同 Vr,F 时的电容 110pF @ 4V,1MHz 110pF @ 4V,1MHz 30pF @ 4V,1MHz 110pF @ 4V,1MHz 110pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA
供应商器件封装 SMAE SMAE SMAE SMAE SMAE
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

 
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