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1N4148 TR

产品描述DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小735KB,共7页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4148 TR概述

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

1N4148 TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)150mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 10mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流25nA @ 20V
不同 Vr,F 时的电容4pF @ 0V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35
工作温度 - 结-65°C ~ 200°C

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1N4148
SILICON SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4148 is a high
speed switching diode manufactured in a DO-35
hermetically sealed glass case. The 1N4148 is a drop
in replacement for the 1N914.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Working Reverse Voltage
Average Forward Current
DC Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
VRRM
VRWM
IO
IF
IFSM
PD
TJ, Tstg
100
75
150
200
2.0
500
-65 to +200
UNITS
V
V
mA
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
IR
VR=20V
BVR
IR=1.0mA
100
BVR
VF
CJ
trr
IR=100μA
IF=10mA
VR=0, f=1.0MHz
VR=6.0V, IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
75
MAX
25
UNITS
nA
V
V
V
pF
ns
1.0
4.0
4.0
R1 (23-November 2015)

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