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MMBD4448HT-TP

产品描述DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小211KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MMBD4448HT-TP在线购买

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MMBD4448HT-TP概述

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523

MMBD4448HT-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)80V
电流 - 平均整流(Io)250mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.25V @ 150mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 70V
不同 Vr,F 时的电容3.5pF @ 6V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523
工作温度 - 结150°C(最大)

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMBD4448HT/
HTA/HTC/HTS
Features
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance, Power Dissipation
Ultra-Small Surface Mount Package
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
150mW
Switching Diodes
SOT-523
A
D
Maximum Ratings
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
R
©
JA
P
D
T
J
T
STG
Symbol
V
(BR)
I
R
Rating
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak Forward Surge Current @1.0­s
@1.0s
Thermal Resistance Junction to Ambient
Power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
100
80
57
500
250
4.0
2.0
833
150
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
A
/W
mW
G
B
C
E
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.059
.067
.030
.033
.057
.069
.020 Nominal
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
MIN
MAX
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Voltage Leakage
Current
Min
80V
---
0.62
---
---
---
---
---
Max
---
0.1­A
25
nA
0.72V
0.855V
1.0V
1.25V
3.5pF
4.0ns
Test Conditions
I
R
=2.5­A
V
R
=70V
V
R
=20V
I
F
=5.0mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=150mA
V
R
=6V, f=1MHZ
I
F
=5mA,
V
R
=6V
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
NOTE
V
F
C
T
t
rr
Forward Voltage
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Revision:
B
www.mccsemi.com
1 of 3
2013/01/01

MMBD4448HT-TP相似产品对比

MMBD4448HT-TP MMBD4448HTS-TP MMBD4448HTA-TP
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523 DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523 DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523
二极管类型 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 80V 80V 80V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.25V @ 150mA 1.25V @ 150mA 1.25V @ 150mA
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 4ns 4ns 4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 70V 100nA @ 70V 100nA @ 70V
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 SOT-523 SOT-523 SOT-523
供应商器件封装 SOT-523 SOT-523 SOT-523
工作温度 - 结 150°C(最大) 150°C(最大) 150°C(最大)
二极管配置 - 1 对串联 1 对共阳极
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) - 250mA 250mA

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