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1N6011B-TP

产品描述DIODE ZENER 30V 500MW DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小191KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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1N6011B-TP概述

DIODE ZENER 30V 500MW DO35

1N6011B-TP规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)30V
容差±5%
功率 - 最大值500mW
阻抗(最大值)(Zzt)78 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 23V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.5V @ 100mA
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35

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TM
Micro Commercial Components
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20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5985B
THRU
1N6016B
500 mW
Zener Diode
2.4 – 47Volts
DO-35
Features
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
High Reliability
Very Sharp Reverse Characteristic
V
Z
– tolerance ± 5%
Moisture Sensitivity: Level 1
Marking: Cathode band and type number
Operating Temperature: -65
o
C
to +200
o
C
Storage Temperature: -65
o
C
to +200
o
C
DC Power Dissipation: 500mW
Maximum Thermal Resistance: 300K/W Junction to Ambient
Test Conditions: I = 9.5mm(3/8”) T
L
= constant
Forward voltage @ 100mA: 1.5V
Figure 1
Typical Capacitance In Picofarads
100
Capacitance vs. Vz Curve
D
Maximum Ratings
A
At zero volt
Cathode
Mark
B
10
At-2volts(V
R
)
D
1
0
100
Zener Voltage Vz
200
C
Figure 2 - Derating Curve
500
DIMENSIONS
400
mW
300
200
100
0
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MAX
.175
.079
.020
---
MM
MIN
---
---
---
25.40
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
50
100
150
200
TL Lead Temperatrue C
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.
Revision:
B
www.mccsemi.com
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